назад II. ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Download PDF [2.2Мb] 2.1. Садыков С.А., Агаларов А.Ш., Алиева С.М., Алигаджиев О.У. Диэлектрическая проницаемость сегнетокерамики ЦТС в процессе сверхбыстрого переключения. 2.2. Гираев М.А., Абдуризаев Н.А., Меджидов А. Линейный импеданс двойного слоя гетероструктуры с сегнетокерами-ческим электродом. 2.3. Исмаилов А.М., Рабаданов М.Р., Абдуллаев Х.М., Рабаданов Р.А. Влияние пылевой составляющей в потоке распыленных частиц на структуру пленок ZnO. 2.4. Хасбулатов А.М. Двумерные носители тока в сплавах кадмий-ртуть-теллур. 2.5 Билалов Б.А., Казаров Б.А., Шабанов Ш.Ш., Сафаралиев Г.К., Алтухов В.И. Проводимость и модель эффекта усиления диэлектрической проницаемости твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. 2.6. Алтухов В.И., Казаров Б.А., Баландина Н.В. Модель теплового сопротивления кристаллов ZnSe, ZnS, SiC c дефектами, их комплексами и нанокластерами. 2.7. Гаджиев С.М., Шабанов О.М., Гаджиев А.М. Высоковольтная активация и кинетика ее релаксации солевых расплавов и твердых электролитов. 2.8. Гаджиев С.М., Шабанов О.М., Омаров О.А., Гаджиев А.С., Мехтиев Б.З., Эфендиева Г.С. Эмиссионные спектры протонных твердых электролитов и их расплавов. 2.9. Шабанов О.М., Гаджиев С.М., Щеликов О.Д., Бабаева С.С. Влияние высоковольтных импульсных разрядов на проводимость многокомпонентных солевых расплавов. 2.10. Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Влияние технологических параметров на формирование твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x при сублимационной эпитаксии. 2.11. Курбанов М.К., Рамазанов Ш.М., Мехтиев Б.З. Расчет высоты барьера шоттки в структурах Al/n-(SiC)1-x(AlN)x. 2.12. Курбанов М.К., Мехтиев Б.З. Расчет напряженности электрического поля в гетеропереходах n-SiC-p-(SiC)1-х(AlN)х. 2.13. Исаев М.А., Гусейханов М.К. Исследование свойств мических контактов к карбиду кремния. 2.14. Гусейханов М.К., Закиева Л.О. Свойства контакта металлов с оксидом цинка. 2.15.Гусейханов М.К., Магомедова У.Г-Г. Формирование металлических контактов к широкозонным поупроводникам. 2.16. Омаров А.М. Эффект поля в фоточувствительных пленках селенида кадмия. 2.17.Гасанов Н.Г. Электрические свойства гетероструктур n-CdSe/p-Si и n-CdSe/n-Si. 2.18. Магомедгаджиев Х.И. Определения критических индексов для гадолиния. 2.19. Билалов Б.А., Кардашова Г.Д., Рыжук Р.В., Алимагомедов Я.А. Формирование p-n –структур ионной имплантации бора в карбид кремния. 2.20. Палчаев Д.К., Мурлиева Ж.Х., Акаев Ф.А., Исхаков М.Э., Абдулаев Х. Зависимость энергии S-D – обменного взаимодействия 3-d металлов от температуры. 2.21.Палчаев Д.К., Мурлиева Ж.Х., Гаджимагомедов С.Х., Юнусов Ш. Электрические свойства керамики Y(BA1-Х ВЕХ)2CU3O7-? в зависимости от температуры и давления воздуха. 2.22.Муслимов А.Э., Каневский В.М. Рост, структура и некоторые электрофизические свойства эпитаксиальных слоев теллурида кадмия. 2.23.Мейланов Р.П. Квантовые кинетические уравнения системы квантовая точка –адатом. 2.24.Пашук Е.Г., Халилов Ш.А. Установка для измерения упругих свойств методом ультразвуковой резонансной спекторометрии. 2.25.Мусаев Г. М., Магомедов Ш. А., Казбеков К.К., Рабазанов А.К., Казиханова Г.К. Гейзенберговский гамильтониан с учетом псевдоспин-решеточного взаимодействия. 2.26.Рабазанов А.К., Казиханова Г.К., Арсланбекова М.М., Мусаев Г.М. Поверхностные магнитные фазовые переходы в изотропной ферримагнитной системе прямгольного слоя. 2.27.Сафаралиев Г.К., Шабанов Ш.Ш., Садыков С.А., Кардашова Г.Д. Диэлектрические свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN. 2.28.Казимагомедов И.М., Рабаданов М.Р., Рабаданов Р.А., Казимагомедов Р.М., Магомедов И.М., Шапиев И.М. Механизм формирования толщины монокристаллических пленок CdS И ZnS на подложках различных ориентаций, получаемых в атмосфере водорода. 2.29.Казимагомедов И.М., Рабаданов М.Р., Рабаданов Р.А., Казимагомедов Р.М., Магомедов И.М., Шапиев И.М., Муслимов И.Э., Гарунов А.И. Особенности роста пленок СdS на грани (0001) Al2O3. 2.30.Рабаданов Р.А., Исаев А.А., Исмаилов А.М., Гарунов А.И., Магомедов И.М., Казимагомедов И.М. Некоторые свойства гетероперехода n-Si - n-ZnO. 2.31.Рабаданов Р.А., Рабаданов М.Р., Исмаилов А.М. Возможность изменения параметров поверхности ZnO под внешним воздействием. 2.32. Рабаданов Р.А., Рабаданов М.Р., Шапиев И.М. Определение ориентации растущей пленки оксида цинка на подложках из Al2O3. 2.33. Хайрулаев М.Р., Дадаев Д.Х., Расулов М.М. Исследование контактного плавления в сиcтеме сурьма-теллур методом автотермоэдс. 2.34. Келбиханов Р.К., Абдурагимов Г.А., Ахмедова З.А. Термоэлектрические свойства пленок теллура. 2.35.Сафаралиев Г.К., Шабанов Ш.Ш., Билалов Б.А., Абилова Н.А., Кардашова Г.Д., Алахкулиев М.М. Исследования структурных свойств керамик SiC-BeO методами рентгено - и петрографии. 2.36. Офицерова Н.В., Сафаралиев Г.К., Савина В.И., Махмудова К.А. Электрические свойства керамики на основе карбида кремния. 2.37.Хизриев К.Ш., Муртазаев А.К., Махмудов Ш.С. Исследование критических явлений в моделях наноразмерных многослойных магнитных систем. 2.38. Исмаилова Н.П., Махмудова К.А., Агабекова Ф.Б. Влияние флуктуаций состава на кинетику дислокаций в гетероэпитаксиальных слоях твердых растворов SiC/(SiC)1-x(AlN)x.