назад
II. ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА


Download PDF [1.6Мb]

2.1 Александров А.Ф., Рау Э.И., Чжу Шичю Бесконтактный электронно-зондовый метод комплексного определения локальных электрофизических параметров полупроводников .
2.2 Абдуллаев Г.А., Мухучев А.М. Микроволновый спектр молекулы триметилкарбинола .
2.3 Абдуллаев Г.А., Мухучев А.М. Дипольный момент и структура молекулы НС?ССН2СН2ОН .
2.4 Агаларов А.М., Julego V.G., Магомедмирзаев Р.М. Оптические мультисолитоны нового класса компактной U(m)-нелинейной модели Шредингера .
2.5 Алиев И.Ш., Темиров А.Т., Рабаданов Р.А., Шаихов Д.А. Особенности вольт-амперных и вольт-емкостных характеристик гетероструктур на базе высокоомного кремния и оксида цинка .
2.6 Алиев И.Ш., Темиров А.Т., Рабаданов Р.А., Шаихов Д.А. Свойства гетероконтакта i-Si – n-ZnO в режиме фотопреобразователя.
2.7 Андреев Ю.Н., КозодаевД.А., Лучинин В.В., Мошников В.А., Ярославцев Н.П. Новая методика исследования релаксации заряда в структурах Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4 методом низкочастотного внутреннего трения .
2.8 Бабаев А.А., Теруков Е.И., Асхабов А.М., Хасбулатов А.М., Нуров В.С. Оптически активные центры в пленках аморфного гидрированного кремния при легировании эрбием, полученных методом магнетронного распыления и ВЧ разряда.
2.9 Бураков А.В., Лукьянов А.Е., Габельченко А.И. РЭМ-СВЧ микроскопия .
2.10 Гаджиев С.М., Шабанов О.М., Омаров О.А., Гаджиев А.М., Гаджиев А.С., Магомедова А.О. Особенности высоковольтного поведения хлорида стронция в твердой и жидкой фазах.
2.11 Гаджиев Т.М., Гаджиева Р.М., Мусаев М.М., Магомедов Н.Г. Рост кристаллов CuInSe2 методом бездиффузионной кристаллизации .
2.12 Гираев М.А., Абакаров М. Барьер Шоттки на SiC(15R) в присутствии гексацианно-11-феррата калия .
2.13 Грищук А.П. Новый подход к изучению процессов переноса в металлах .
2.14 Гусейханов М.К., Закиева Л.О., Гусейханова Ф.М. Механизм формирования омических контактов к приборам на основе широкозонных полупроводников .
2.15 Гусейханов М.К., Курбанов М.М., Магомедов М.М., Исаев М.А. Закономерности свойств металлических контактов к карбиду кремния и твердым растворам (SiC)1-x ) (AlN)x .
2.16 Гусейханов М.К., Магомедова У. Г-Г. Закономерности в формировании контактных систем Me – ZnO .
2.17 Гусейханов М.К., Рабаданов Р.А., Атаев Б.М., Алиев И.Ш. Получение и свойства гетероструктуры GaP- ZnO .
2.18 Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В., Таиров Ю.М. Исследование влияния политипизма SiC на высоту барьера Шоттки .
2.19 Давыдов С.Ю., Носков И.В. Об изменении работы выхода при адсорбции цезия на поверхности (110) TiO2 .
2.20 Еловиков С.С., Зыкова Е.Ю., Гвоздовер Р.С., Юрасова В.Е. Экспериментальное исследование и компьютерный расчет распыления поликристаллического нитрида галлия ионами малых энергий .
2.21 Исмаилов А.М., Темиров А.Т., Рабаданов М.Р., Рабаданов Р.А. Особенности роста пленок ZnO на монокристаллических подложках.
2.22 Каллаев С.Н. Квадрупольный пьезоэлектрический эффект в центросимметричных кристаллах .
2.23 Каллаев С.Н., Камилов И.К., Глушков В.Ф., Аливердиева А.А. Особенности электрических свойств кристаллов Cs2HgCl4 .
2.24 Луцкая О.Ф., Максимов А.И., Мошников В.А. Стабилизация объемных свойств диоксида олова .
2.25 Майоров С.А., Мошников В.А., Тарасов В.И. Формирование газочувствительных слоев диоксида олова из пленкообразующих растворов .
2.26 Митаров Р.Г. Электронная теплоемкость в LaSY и LaTey .
2.27 Митаров Р.Г. Составляющие теплоемкости халькогенидов РЗЭ переменного состава .
2.28 Мурлиева Ж.Х., Борзов Е.Д., Палчаев Д.К. Связь электросопротивления никеля с изобарной термической деформацией .
2.29 Муртазаев А.К., Ибаев Ж.Г. Исследование моделей ортоферритов методами Монте – Карло .
2.30 Муртазаев А.К., Камилов И.К., Магомедов М.А. Исследование моделей реальных магнетиков современными алгоритмами метода Монте – Карло .
2.31 Муртазаев А.К., Рамазанов М.К. Определение класса универсальности фрустрированных систем методом Монте – Карло .
2.32 Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Влияние внешних факторов на параметры пленочных преобразователей энергии .
2.33 Павлык А.В., Давыдов С.Ю Адсорбции металлических атомов на полупроводниках: работа выхода .
2.34 Рабаданов Р.А., Рабаданов М.Р., Исмаил М.Б. Особенности условий формирования монокристаллической структуры оксида цинка .
2.35 Садыков С.А. Особенности внутреннего экранирования в сегнетоэлектриках в самосогласованном электрическом поле .
2.36 Темиров А.Т., Исмаилов А.М., Рабаданов М.Р., Рабаданов Р.А. Технология получения пьезоэлектрических пленок оксида цинка .
2.37 Темиров А.Т., Исмаилов А.М., Рабаданов М.Р., Рабаданов Р.А. Ультразвуковые преобразователи на основе пленок оксида цинка.